ডায়োড ও ডায়োডের প্রয়োগ
উপরের চিত্রে SiSiSiও GeGeGeডায়োড দুটির নী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V0.7V0.7Vও 0.3V0.3V0.3V
5.6KΩ5.6K\Omega5.6KΩরোধের মধ্য দিয়ে কত তড়িৎ প্রবাহিত হবে?
0.47mA0.47mA0.47mA
0.5mA0.5mA0.5mA
1.96mA1.96mA1.96mA
2.14mA2.14mA2.14mA
V=12−(0.3+0.7)=11 VI=VR=115.6×103=1.96 mA \begin{array}{l}V=12-(0.3+0.7)=11 \mathrm{~V} \\ I=\frac{V}{R}=\frac{11}{5.6 \times 10^{3}}=1.96 \mathrm{~mA}\end{array} V=12−(0.3+0.7)=11 VI=RV=5.6×10311=1.96 mA
p-n জংশনের সংযোগস্থলে নিঃশেষিত স্তর সৃষ্টির কারণ হলো—
Forward bias এ PN জাংশনের ডিপ্লেশন স্তর-
জেনার ডায়োড কি ধরনের ঝোঁকে কাজ করে?
p-n জাংশন ডায়োগের সম্মুখ বায়াসের V-I লেখচিত্র কোনটি?
